理工科畢業論文開題報告

時間：2024-08-04 02:34:53 開題報告

理工科畢業論文開題報告范文

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理工科畢業論文開題報告范文

　　論文題目：AMOLED像素驅動電路設計

　　① 項目研究的背景和意義

　　有機發光顯示器(OLEDs)是當今平板顯示器研究領域的熱點之一。與液晶顯示器(LCD)相比,OLEDs具有低能耗、生產成本低(比液晶低20%～30%) 、自發光、寬視角、工藝簡單、成本低、溫度適應性好、響應速度快等優點。目前,在手機、PDA、數碼相機等小屏顯示應用領域OLEDs已經開始取代傳統的LCD 顯示屏。

　　OLED顯示器驅動方式可分為兩種類型：無源矩陣OLED(Passive Matrix OLED,簡稱PMOLED)和有源矩陣OLED(Active Matrix OLED，簡稱AMOLED)。PMOLED采用行列掃描的方式驅動相應的像素發光,具有結構簡單,生產成本低的優點,但器件能耗高,分辨率有限,器件壽命和顯示品質也無法同TFT-LCD 相抗衡。在AMOLED 中,每個發光像素都有獨立的TFT電路驅動,不存在交叉串擾問題,亮度、壽命以及分辨率等都較PMOLED 有大幅提高。由于顯示器未來發展趨勢是向著高精細畫質應用，PMOLED驅動方式已無法滿足要求。因此，發展AMOLED驅動技術，解決有機發光顯示器的“瓶頸”問題顯得日益迫切。

　　像素驅動電路的設計是AMOLED顯示器的核心技術內容，具有重要研究意義。本項目致力于基于薄膜晶體管(TFT)的AMOLED顯示器像素驅動電路的研究與實現。

　　② 工作任務分析

　　目前，應用于AMOLED的薄膜晶體管主要有非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT)和低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)，二者實現量產的優勢最大。a-Si TFT與LTPS TFT相比具有工藝簡單、價格低、制備成品率高、關態漏電流小等優點。但a-Si TFT載流子遷移率低，器件的尺寸要比LTPS TFT大得多，而且驅動電壓和信號電壓都比較大，這些不利因素會造成顯示屏像素開口率下降、OLED的壽命縮短，同時a-Si TFT技術存在著過高的光敏感性問題。LTPS TFT具有較高的載流子遷移率，相比于非晶硅工藝，其特征尺寸可以做到更小，增加OLED像素的開口率，還可以實現將顯示器的外圍驅動電路集成于顯示器的周邊。

　　OLED有源矩陣驅動方式可分為電流編程模式和電壓編程模式。電流編程是在數據線上提供一恒定電流通過電流鏡的作用控制OLED上流過的電流，即根據通入電流的大小控制像素的明暗程度(灰階)。文獻[4]和[9]是采用電流編程模式。采用電流編程技術的AMOLED畫面具有自動補償LTPS TFT器件差異的功能，由此能提供高均勻度及高精細的畫質表現，但在低色階區電流寫入不足。在電流編程之前還需要以電壓驅動一小段時間使OLED本身的寄生電容預充電(precharge)使OLED的兩端電壓達到導通電壓,導致建立時間長，掃描頻率不能太高，限制了電流編程模式只適用于中小尺寸顯示。另外,電流鏡設計中一般要求至少兩個LTPS TFT的物理特性是一致的(閾值電壓、遷移率等相同)，對于目前的多晶硅工藝這是很難實現的。電壓編程模式是在數據線上使用電壓信號控制流經OLED的電流而決定像素的明暗程度。電壓編程模式結構簡單，開口率高，像素充電迅速，功耗小，控制方便，外圍驅動芯片設計容易、成本低。通過像素驅動電路的設計可補償LTPS TFT閾值電壓的差異及OLED導通電壓隨時間退化，還可以補償大面積顯示中電源線寄生電阻引起的電壓降，但無法補償TFT中載流子遷移率的差異。盡管如此，可以通過優化LTPS TFT制備工藝提高遷移率的均勻性。

　　最簡單的AMOLED像素驅動電路如右圖所示，包含兩個薄膜晶體管(TFT)和一個存儲電容(簡稱2T1C電路)，其中一個開關 (switching) TFT，一個驅動(driving)TFT。當掃描線(scan line)開啟時，外部電路送入電壓數據信號經由開關TFT存儲在存儲電容(Cs)中，此電壓信號控制驅動TFT導通電流大小，也就決定了OLED的灰階;當掃描線關閉時，存儲于Cs中的電壓仍能保持驅動TFT在導通狀態，故能在一個畫面時間內維持OLED的固定電流。

　　與TFT-LCD利用穩定的電壓控制亮度不同，OLED器件屬于電流驅動，需要穩定的電流來控制發光。由于制程和器件老化等原因，各個像素點驅動管TFT的閾值電壓存在不均勻性，這樣導致流過各個像素點OLED的電流會發生變化，影響圖像顯示的均勻性。因此有必要對像素電路提出補償，使流過各個像素點的電流非均勻些控制在一定的范圍之內。很多文獻在仿真的過程中，將OLED器件作為一個二極管和電容的并聯，本項目中采用的OLED模型也是將一個二極管和電容并聯。本項目采用EDA仿真軟件Hspice，對設計的AMOLED像素驅動電路進行模擬仿真，并提取出合理的參數，實現對驅動管TFT閾值漂移的補償。

　　③ 國內外研究現狀

　　2T1C像素驅動電路結構簡單，像素開口率高，適合大批量生產，因此2T1C電路的研究吸引了不少研究單位。吉林大學司玉娟等曾經做過傳統AMOLED像素驅動電路的仿真研究，在合理選擇Poly-Si TFT模型參數的基礎上, 對2T1C像素驅動電路進行詳細分析, 總結出驅動電路的合理工作參量, 并詳細分析它們的變化對驅動電路的影響, 為像素驅動電路設計分析提供依據。Sanford等把OLED器件不僅作為發光器件，而且把它作為一個電容使用，提出了一種可以補償閾值漂移的2T1C電路，但是它并不能完全消除閾值漂移的影響。

　　此外多個研究單位提出了多于2個TFT的TFT補償電路。1998年R.Dawson等首先提出了四個TFT和二個電容的補償電路，它不但可以補償值電壓的改變，還可以減少電源線寄生電阻導致的電壓降，與傳統2T1C驅動電路相比，可以使得面板的亮度更加均勻。J.H.Lee等提出了一種基于氫化非晶硅薄膜晶體管(a-Si:H TFT)可補償閾值漂移的6T1C像素驅動電路，實驗表明文獻[12]中所設計的像素驅動電路隨著工作時間的變化，流過OLED的電流只有7%的衰減，遠遠小于傳統2T1C電路的28%，仿真和實驗都表明這種6T1C電路能夠維持相當的電流穩定性，從而保持面板發光亮度的基本不變。C.L.Lin等提出了一種改進型的電路，這款基于Poly-Si TFT 的5T1C 像素電路采用光學反饋的方式，不僅消除了Poly-Si TFT的驅動管閾值電壓不均造成的像素點發光亮度不均，而且彌補了由于OLED本身的退化導致的發光亮度下降。同時，相比于文獻[12],文獻[13]少了一個晶體管從而提高了像素的開口率。文獻[14][15]均是五個TFT和一個電容的像素驅動電路，對LTPS TFT的驅動管由于制程工藝造成閾值電壓不均提出了補償，提高了像素點的發光均勻程度。文獻[11]-[15]的像素電路使用了多個TFT，導致控制線路復雜，降低了像素點的開口率，基于此文獻[16]提出了三個TFT和一個電容的補償電路，這個電路不需要驅動管TFT的閾值產生階段，從而控制信號波形與傳統2T1C電路一樣簡單。以上像素補償電路[11]-[16]皆是基于電壓編程模式。文獻[9]提出了一種基于電流編程的4T1C電路，仿真和實驗同時證明該電路能夠補償低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS-TFT)的閾值電壓和遷移率的不均。當像素點溫度從27 升至60 時，該4T1C電路流過OLED的電路僅增加了1.5%，而傳統2T1C電路流過OLED的電流將增加37% 。

　　④ 畢業設計項目實施計劃及進度

　　第1-2周：閱讀相關文獻資料及撰寫畢業設計開題報告。

　　第3-4周：優化傳統2T1C像素電路設計參數，2T1C電路動態分析和仿真，進一步熟悉Hspice和AIM-spice仿真軟件的使用。

　　第5-6周：研究文獻[13]中的像素電路，提取OLED器件、存儲電容和TFT器件的模型參數。

　　第7-8周：進一步閱讀文獻，找像素電路設計的靈感，并構思新的閾值補償電路拓撲結構。

　　第9-12周：仿真分析新的電路拓撲，并提取出合理的模型和工藝參數。

　　第13-14周：撰寫畢業設計報告，準備畢業答辯。

　　第15周：畢業答辯。

　　⑤ 參考文獻

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　　[4] 郭英英, 李榮玉, 梁寶聞, 王帥, 陳秀錦. AM-OLED四管像素驅動電路特性研究[J]. 液晶與顯示, 2008, (06)：667-670

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　　[12] J. H. Lee, J. H. Kim, and M. K. Han, “A new a-Si:H TFT pixel circuit compensating the threshold voltage shift of a-Si:H TFT and OLED for active matrix OLED,” IEEE Electron Device Lett., vol. 26, no. 12, pp.897–899, Dec. 2005.

　　[13] C. L. Lin and Y. C. Chen, “A novel LTPS-TFT pixel circuit compensating for TFT threshold-voltage shift and OLED degradation for AMOLED，” IEEE Electron Device Lett., vol. 28, no. 2, pp. 129–131,Feb. 2007.

　　[14] H.Y.Lu, P.T.Liu,T.C.Chang, S.Chi. “Enhancement of brightness uniformity by a new voltage-modulated pixel design for AMOLED displays.” IEEE Electron Device Letters. 2006, 27(9):743-745.

　　[15] B.T. Chen, Y.H. Tai, Y.J. Kuo, C.C. Tsai and H.C. Cheng, “New pixel circuits for driving active matrix organic light emitting diodes,” Solid-State Electron 50 (2) (2006), pp. 272–275

　　[16] Chih-Lung Lin, Tsung-Ting Tsai, “A Novel Voltage Driving Method Using 3-TFT Pixel Circuit for AMOLED,” IEEE Electron Device Letters, vol. 28, no.6, pp. 489-491, June 2007.

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