常見的超頻內存認識誤區

時間：2025-10-24 17:16:02 藹媚計算機硬件

常見的超頻內存認識誤區

　　超頻作為顯著提升硬件價值的一種常用手段，受到眾多超頻DIY玩家的追捧，下面整理了一些常見的超頻內存認識誤區，希望對大家有所幫助!

　　常見的超頻內存認識誤區

　　誤區一：帶散熱片的產品更能超頻

　　配以散熱片的內存，更多的是起到了美化產品形象的作用，有的甚至可能成為內存的遮羞布，讓您看不到它所使用的芯片，要知道內存芯片才是決定超頻下限的基礎。比如一些名廠的產品，雖然并沒有帶上這層散熱片，但這樣的低規格內存就超過了很多帶有散熱片的高規格產品，就很能說明這個問題。所以在選購內存時，有沒有散熱片不是考慮因素，帶散熱片的產品不見得更能超頻。

　　像金士頓、金邦、宇瞻、金泰克等品牌內存，每顆芯片都是廠家精挑細選后的優秀A級顆粒，發熱量小不說，同時在頻率方面也留有余地，即使它們不使用任何散熱手段，也能有良好的表現，散熱方面更不需要擔心。

　　誤區二：單面內存和雙面內存在超頻方面一樣

　　這個誤區可能大家有所疑惑，怎么會不一樣呢?這是因為單面內存比雙面內存在超頻方面更有先天優勢，這主要取決于芯片組的驅動負載能力。單面的內存大多為8顆芯片，如目前主流的512MB產品，雙面的為16顆芯片，如目前主流的1GB產品。這就意味著后者需要更大的驅動能力，雖然工作時會通過片選信號選中一個P-Bank工作，但不工作的P-Bank仍會增加地址與控制信號線的負載。

　　所以，很明顯的就可看出，8顆芯片總是要比16顆芯片更容易驅動。此外，芯片的增多，也使PCB上的信號線數量將是前者的一倍，如果設計不良，產生相互干擾的機率也就大幅度增加，這也可能會影響超頻能力，不過這是相對次要的原因，就模組本身而言，超頻能力更多的取決于芯片。

　　誤區三：相同芯片的不同品牌意味著超頻能力相同

　　有人對這個誤區可能不理解，選用相同的顆粒，為什么超頻能力卻不同?其實對于不同品牌的兩款內存條雖然采用了相同的芯片，但它們在超頻性能上是存有差異的，可主要取決于產品的PCB設計及選用顆粒的品質。現市面上超頻較好的顆粒多見現代、三星、英飛凌等，但這些顆粒即使是相同編號它們也是分等級的，這其中品質優秀的留給自己的原裝內存，或者是關系較好的幾家內存廠家。對于關系一般的廠家采購到的顆粒，就有可能是品質稍遜一些了，所以，即使采用相同芯片，但品牌不同，那么超頻能力也不盡相同。

　　誤區四：CSP封裝的芯片意味著好超頻

　　相對來說，CSP封裝的內存，在技術上較TSOP-II更為先進，但卻與最終內存性能的關系不太大。采用CSP封裝芯片的內存，在超頻方面和內存優化方面不一定就比傳統的TSOP-II芯片模組強。所以大家不要過分迷信CSP封裝，它本身雖然可以達到比TSOP-II更高的頻率，但對外圍電路的要求和電氣環境的變化也比較苛刻。采用TSOP-II封裝的內存，超頻能力比CSP封裝更強的情況更為普遍，所以CSP封裝的芯片不意味著好超頻。

　　誤區五：規格高的內存在優化能力上比規格低的內存強

　　從理論上講，DDR500要比DDR400規格高速度要快，而實際上卻并不絕對。因為有很多高規格的內存都是靠犧牲時序優化能力來換取。像DDR500的內存條雖然標稱頻率更高，但并不能表示它在DDR400下具有更好的優化能力。原因很簡單，DDR500所使用的芯片有可能和普通DDR400的芯片是一樣的，在時序優化能力方面并不占優，而能達到DDR500更多的是通過放寬時序要求來達到的。所以，規格高的內存在優化能力上不見得比規格低的內存強。因此，玩家在選購內存時一定要注意這一點，這也體現了兩種不同的選購傾向，是想得到最佳的DDR500性能還是最高的工作頻率。

　　誤區六：產品參數設置最大就好超頻

　　這個問題可以通過事實說話，以DDR400內存為例，當用3-4-4超不上去時，就應換用BySPD的方法進行超頻。有些默認CL=2.5的產品，BySPD反而會比3-4-4好超，但有些則不是，默認CL=3的產品，BySPD與3-4-4都差不多，可能會有1、2MHz的區別。估計這應該是芯片所體現出來的差異。

　　CL是一個唯一在內存初始化時寫入芯片內模式寄存的參數(tRCD、tRP只需北橋控制即可)，所以它的值與芯片本身固有的可調整范圍就需要匹配，如果芯片本身的局限性較大，那么調高CL值反而會造成內存子系統的不穩定而導致不能開機。所以，3-4-4雖然是一個超頻時常用的設置，但如果遇到一點也不能超時，建議改用BySPD試一試，可能會有驚喜。所以，有些產品參數設置最大可不見得就好超頻。

　　電腦內存工作原理

　　1.內存尋址

　　首先，內存從CPU獲得查找某個數據的指令，然后再找出存取資料的位置時（這個動作稱為“尋址”），它先定出橫坐標（也就是“列地址”）再定出縱坐標（也就是“行地址”），這就好像在地圖上畫個十字標記一樣，非常準確地定出這個地方。對于電腦系統而言，找出這個地方時還必須確定是否位置正確，因此電腦還必須判讀該地址的信號，橫坐標有橫坐標的信號（也就是RAS信號，Row Address Strobe）縱坐標有縱坐標的信號（也就是CAS信號，Column Address Strobe），最后再進行讀或寫的動作。因此，內存在讀寫時至少必須有五個步驟：分別是畫個十字（內有定地址兩個操作以及判讀地址兩個信號，共四個操作）以及或讀或寫的操作，才能完成內存的存取操作。

　　2.內存傳輸

　　為了儲存資料，或者是從內存內部讀取資料，CPU都會為這些讀取或寫入的資料編上地址（也就是我們所說的十字尋址方式），這個時候，CPU會通過地址總線（Address Bus）將地址送到內存，然后數據總線（Data Bus）就會把對應的正確數據送往微處理器，傳回去給CPU使用。

　　3.存取時間

　　所謂存取時間，指的是CPU讀或寫內存內資料的過程時間，也稱為總線循環（bus cycle）。以讀取為例，從CPU發出指令給內存時，便會要求內存取用特定地址的特定資料，內存響應CPU后便會將CPU所需要的資料送給CPU，一直到CPU收到數據為止，便成為一個讀取的流程。因此，這整個過程簡單地說便是CPU給出讀取指令，內存回復指令，并丟出資料給CPU的過程。我們常說的6ns（納秒，秒－9）就是指上述的過程所花費的時間，而ns便是計算運算過程的時間單位。我們平時習慣用存取時間的倒數來表示速度，比如6ns的內存實際頻率為1／6ns＝166MHz（如果是DDR就標DDR333，DDR2就標DDR2 667）。

　　4.內存延遲

　　內存的延遲時間(也就是所謂的潛伏期，從FSB到DRAM)等于下列時間的綜合：FSB同主板芯片組之間的延遲時間(±1個時鐘周期)，芯片組同DRAM之間的延遲時間(±1個時鐘周期)，RAS到CAS延遲時間：RAS(2-3個時鐘周期,用于決定正確的行地址)，CAS延遲時間 (2-3時鐘周期,用于決定正確的列地址)，另外還需要1個時鐘周期來傳送數據，數據從DRAM輸出緩存通過芯片組到CPU的延遲時間(±2個時鐘周期)。一般的說明內存延遲涉及四個參數CAS（Column Address Strobe 行地址控制器）延遲，RAS（Row Address Strobe列地址控制器）－to－CAS延遲，RAS Precharge（RAS預沖電壓）延遲，Act-to-Precharge（相對于時鐘下沿的數據讀取時間）延遲。其中CAS延遲比較重要，它反映了內存從接受指令到完成傳輸結果的過程中的延遲。大家平時見到的數據3—3—3—6中，第一參數就是CAS延遲（CL＝3）。當然，延遲越小速度越快。

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